今天的內(nèi)容關(guān)于肖特基二極管的反向恢復過程。
二極管種類知多少？
肖特基二極管以發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名。
SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基勢壘二極管的縮寫。
不同于一般二極管的 P 半導體和 N 半導體接觸形成，肖特基二極管是利用金屬和半導體接觸形成。
肖特基的兩個主要特點，一個是正向?qū)▔航当容^低，一般在 0.15~0.5V 之間，導通壓降低可以提高系統(tǒng)的效率。
另一個特點是反向恢復時間短，一般在幾個納秒。
所以肖特基二極管一般用作高頻、大電流整流、低壓、續(xù)流二極管、保護二極管等。
二極管從正向?qū)ǖ椒聪蚪刂褂幸粋€反向恢復的過程，而不是立即由導通到截止。
對上述的肖特基二極管上加電壓。
在 0-t1 時間內(nèi)，給二極管加正的 VF 電壓，二極管導通，流過二極管的電流 IF=（VF-VD）/RL，VD 是二極管的導通壓降。
在 t1 后，將 V1 由 VF 改為 -VR，理想條件下，二極管會立刻截止，反向電流 IR 很小。
但實際情況是，二極管并不是立刻截止，而是由正向 IF 變?yōu)橐粋€很大的反向電流 IR=VR/RL，維持 Ts 時間后，IR 再慢慢降低到一個很小的值，差不多是 0.1 倍 IR，時間為 Tt，這時的二極管才進入反向截止狀態(tài)。
通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復過程。
其中 Ts 稱為存儲時間，Tt 稱為渡越時間，Ts+Tt 稱為反向恢復時間。
由于反向恢復時間的存在，使二極管的開關(guān)速度受到限制。
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