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        二極管、三極管、MOS管、橋堆

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      6. GBJ810整流橋,GBJ810整流橋參數(shù)規(guī)格書
        • 發(fā)布時(shí)間:2021-08-21 15:13:17
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        GBJ810整流橋,GBJ810整流橋參數(shù)規(guī)格書PDF
        GBJ810整流橋8A 1000V,GBJ810封裝為4GBJ/4KJ,GBJ810整流橋參數(shù)規(guī)格書
        GBJ810
        GBJ810整流橋參數(shù)規(guī)格書:點(diǎn)擊下載
        GBJ810整流橋參數(shù)具體如下:
        GBJ810
        Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM最大重復(fù)峰值反向電壓:1000V
        Maximum DC blocking voltage VDC最大直流阻斷電壓:1000V
        Maximum average forward rectified current IF(AV) 最大平均正向整流電流:8.0A
        Maximum instantaneous forward voltage drop per diode IFM=4.0A  VF 4.0A時(shí)最大瞬時(shí)正向,每個(gè)二極管的壓降:1.0V
        Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM VRM=VRRM 最大直流反向電流,每個(gè)二極管的額定直流阻斷電壓:5uA
        Operating temperature range TJ 工作溫度范圍:-55 to +150°C
        storage temperature range TSTG 儲存溫度范圍:-55 to +150°C
        GBJ810整流橋堆封裝,4GBJ/4KBJ封裝尺寸:
        GBJ810
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